半导体后端工艺：传统封装方法组装工艺的八个步骤
第一步：背面研磨
背面研磨工艺可确保将晶圆加工成适合其封装特性的最佳厚度。
第二步：晶圆切割/分割
晶圆切割是指沿着晶圆上的划片槽（Scribe Lane）2进行切割，直到分离出芯片的工艺，也被称为划片工艺。晶圆切割是芯片封装工艺的必要工序。
第三步：芯片贴装
芯片贴装是指从承载薄膜上拾取经过晶圆切割后的芯片，并将其贴装在涂有粘合剂的基板或引线框架上的工艺。
第四步：互连
互连是指芯片之间、芯片与基板之间，以及封装体内其它组合间的电气连接。
第五步：模塑
芯片在完成引线键合或倒片键合后，需进行封装，以保护芯片结构免受外部冲击。此类保护工艺涵盖模塑、密封和焊接，但只有模塑工艺适用于塑料封装。模塑工艺使用环氧树脂模塑料，将热固性树脂（Thermosetting Resin）10与多种无机材料混合，封装在芯片、引线等部件周围进行保护，使这些部件免受外部物理性和化学性损害，并可根据实际需求制作成相应的封装尺寸或形状。
第六步：打标
打标（Marking）是指在半导体封装表面刻印产品信息的工艺，包括半导体类型、制造商，以及客户要求的图案、符号、数字或字母等。这在封装后的半导体产品出现故障时尤为重要，因为标记有助于追踪产品故障原因等。打标既可以使用激光灼烧环氧树脂模塑料等材料来进行刻印，也可以使用油墨压印。
对于塑料封装，必须在封装表面刻印所需信息之前进行模塑。由于激光打标只是简单的刻印行为，所以黑色环氧树脂模塑料通常会作为首选，因为它可以增加标记的易读性。考虑到刻印字符或符号不易着色，因此，在黑色背景上刻印会使标记更加明显。接下来两个步骤是基板封装的最后阶段，也是基板封装和引线框架封装工艺之间的区别所在。
第七步：植球
基板封装中的锡球不仅可以作为封装体和外部电路之间的电气通路，还可提供机械连接。植球工艺是将锡球粘合至基板焊盘的过程。在该工艺的第一步，将助焊剂（Flux）11涂抹在焊盘上，并将锡球放置在焊盘上。然后通过回流焊工艺熔化并粘合锡球，之后清洗并去除助焊剂。助焊剂的作用是在回流焊过程中清除锡球表面杂质和氧化物，使锡球均匀熔化，形成洁净表面。锡球熔化后便会流入基板上覆盖的网板，即可填充网板上的每个孔隙。最后，将基板和网板分离，但因助焊剂具有黏附力，锡球仍然会留在基板上。由于焊盘上预先涂抹了助焊剂，因此锡球会暂时粘合并附着在焊盘上。
第八步：切单
切单（Singulation）是基板封装工艺的最后一道工序。即使用刀片将成品基板切割为单独的封装。切单完成后，将封装放在托盘上进行测试，并完成其余步骤。
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